ВАЖНЫЕ НОВОСТИ
Минпромторг России обновил основные характеристики программы "промышленной ипотеки"

Министерством промышленности и торговли Российской Федерации совместно с Минфином России и Минэкономразвития России были разработаны новые условия для реализации программы "промышленной ипотеки", учитывая анализ результатов 2023 года. Теперь участие в программе станет доступным для предприятий с выручкой до 2 миллиардов рублей и малых технологических компаний с выручкой до 4 миллиардов рублей, ...

В России разрабатывается всестороннее цифровое решение для возведения сложных промышленных объектов

В России будет создано комплексное национальное решение в сфере технологий информационного моделирования (ТИМ) для строительства сложных промышленных объектов. Для этого объединяются усилия отечественных компаний-разработчиков, индустриальных заказчиков и профильных органов исполнительной власти. Координатором проекта выступит Госкорпорация «Росатом». Площадкой дальнейшего обсуждения проекта ст...

Минпромторг России проводит конкурсный отбор для возмещения расходов на беспилотные авиационные системы (БАС)

Министерство промышленности и торговли Российской Федерации объявляет отбор на право компенсации части затрат на полеты беспилотных авиационных систем их эксплуатантам. Поддержка будет оказываться в форме субсидий в рамках федерального проекта «Стимулирование спроса на отечественные беспилотные авиационные системы» (входит в состав национального проекта «Беспилотные авиационные системы») в целя...

"Ростех" завершил подготовку нового стартового комплекса для ракеты-носителя "Ангара-А5" перед проведением летных испытаний

Монтажно-технологическое управление "Альтаир", входящее в структуру холдинга "Росэлектроника" Госкорпорации Ростех, успешно завершило наладку важных систем жизнеобеспечения и работоспособности стартового комплекса ракеты-носителя тяжелого класса "Ангара-А5" на космодроме "Восточный". В рамках проекта специалисты установили около полутора тысяч единиц разнообразного оборудования и проложили более м...

В Министерстве цифрового развития России состоялось заседание Государственной комиссии по радиочастотам (ГКРЧ)

Поступила первая заявка на выделение полос для гибридных сетей связи В Государственную комиссию по радиочастотам (ГКРЧ) поступила просьба от компании МТС о выделении частотного диапазона 1920-1980/2110-2170 МГц для тестирования новых гибридных сетей связи. Эти инновационные сети предоставляют возможность объединения земных станций и спутниковых каналов на основе единого стандарта, обеспечивая р...

На совещании, которое провел Денис Мантуров, обсудили развитие отечественной станкоинструментальной промышленности

В Координационном Центре Правительства Российской Федерации состоялось совещание о развитии станкоинструментальной промышленности под председательством заместителя Председателя Правительства Российской Федерации – Министра промышленности и торговли Российской Федерации Дениса Мантурова и заместителя Председателя Правительства Российской Федерации Дмитрия Чернышенко. В мероприятии приняли уча...

11 Декабря 2009

Светодиодная матрица

Светодиодная матрица

Автoр: Щербакoв Валентин Никoлаевич.

Изoбретение oтнocитcя к электрoннoй технике и мoжет быть иcпoльзoванo при прoизвoдcтве ocветительных и cигнальных уcтрoйcтв. Светoдиoдная матрица (СМ) coдержит пoлупроводниковые cветодиоды 1 c электричеcкими контактами 2, закрепленные на оcновании 3, выполненном cо cквозными уcтановочными отверcтиями 4. СМ cодержит крышку 6 из прозрачного материала, укрепленную на оcновании, которая выполнена c не менее чем двумя фиксирующими штырями 7 на стороне, обращенной к основанию, совпадающими с установочными отверстиями 4 в основании 3. СМ выполнена с выступающими линзами 8 на поверхности крышки 6, противоположной поверхности, соединенной с основанием 3, которые сформированы с полостями 9 на поверхности, соединенной с основанием 3, и штырями 7, совпадающими со сквозными установочными отверстиями 4 в основании 3. Каждая полость 9 покрывает один или несколько светодиодов 1 с их электрическими контактами 2 и содержит светопроводящую среду 10, которая содержит частицы светорассеивающего вещества и частицы люминофора. Каждая полость 9 сообщается с окружающей средой через одно или несколько дополнительных сквозных отверстий 11 в основании 3 для заполнения полостей светопроводящей средой 10. Минимальные расстояния от каждой точки поверхности каждой полости до поверхности ближайшего к этой точке полупроводникового светодиода равны друг другу. Техническим результатом, который обеспечивается изобретением, является равномерное распределение излучения в заданном диапазоне длин волн на выходе устройства. 2 ил.
Инновация относится к полупроводниковым приборам, и может быть использовано при производстве осветительных и сигнальных устройств.

Светодиодные матрицы (СМ) широко используются в промышленности. СМ применяются в светофорах, устройствах бытового освещения и т.д. Высокие эксплуатационные параметры CM - оптическая мощность излучения, коэффициент преобразования электрической энергии в световую, высокая надежность и низкая себестоимость делают эти источники света весьма перспективными. Во многих случаях требуются СМ с широкой гаммой цветов и оттенков светового потока, включая белый и полноцветный.

Техническим результатом предложенного изобретения является формирование равномерной диаграммы направленности излучения в заданном диапазоне длин волн.В светодиодной матрице, содержащей не менее двух полупроводниковых светодиодов с электрическими контактами, установленных на основании, и крышку из прозрачного материала, укрепленную на основании, крышка выполнена с не менее чем двумя фиксирующими штырями на стороне, обращенной к основанию, совпадающими с установочными отверстиями в основании, на противоположной стороне крышки сформировано не менее двух линз с полостями, границы которых совпадают с поверхностью крышки, обращенной к основанию, каждая полость покрывает не менее одного светодиода с электрическими контактами и содержит светопроводящую среду, минимальные расстояния от каждой точки поверхности каждой полости до поверхности ближайшего к этой точке полупроводникового светодиода равны друг другу, при этом каждая полость сообщается с окружающей средой не менее чем через одно сквозное отверстие, выполненное в основании для заполнения полости светопроводящей средой. При этом светопроводящая среда может дополнительно содержать частицы люминофора и частицы светорассеивающего вещества.

На фиг.1 представлен вид светодиодной матрицы сверху.

На фиг.2 представлен боковой разрез светодиодной матрицы.

Светодиодная матрица содержит полупроводниковые светодиоды 1 с электрическими контактами 2, закрепленные на основании 3, изготовленном из материала с высокой теплопроводностью и выполненном со сквозными установочными отверстиями 4, светодиоды 1 могут быть также приклеены с помощью электропроводящего клея к слою металла 5, покрывающему основание, на котором может быть сформирована топология разводки контактов светодиодов. СМ содержит крышку 6 из прозрачного материала, укрепленную на основании, крышка 6 выполнена с не менее чем двумя фиксирующими штырями 7 на стороне, обращенной к основанию, совпадающими с установочными отверстиями 4 в основании 3. CM выполнена с выступающими линзами 8 на поверхности крышки 6, противоположной поверхности, соединенной с основанием 3, которые сформированы с полостями 9 на поверхности, соединенной с основанием 3, и юстировочными штырями 7, совпадающими со сквозными установочными отверстиями 4 в основании 3, при этом каждая полость 9 покрывает один или несколько светодиодов 1 с их электрическими контактами 2 и содержит светопроводящую среду 10, которая может содержать частицы светорассеивающего вещества и/или частицы люминофора. Каждая полость 9 сообщается с окружающей средой через одно или несколько дополнительных сквозных отверстий 11 в основании 3 для заполнения полостей светопроводящей средой 10.

С целью формирования однородной диаграммы направленности излучения светодиодов 1 в заданном диапазоне длин волн в светопроводящую среду, которая после полимеризации является преимущественно эластичной, равномерно вносят частицы светорассеивающего вещества и/или частицы люминофора. Заполнение полостей СМ, выполненных таким образом, что минимальные расстояния от каждой точки поверхности каждой полости до поверхности ближайшего к этой точке полупроводникового светодиода равны друг другу, позволяет создавать такой слой светопроводящей среды, что рассеяние излучения всех точек поверхностей светодиодов 1 и его переизлучение частицами люминофора в заданном диапазоне длин волн наиболее равномерно.

С целью более эффективного использования излучения боковых поверхностей светодиодов 1 части 12 крышки 6, соединенные с основанием, и формирующие полости могут быть выполнены в виде усеченного тела вращения, плоскость поперечного сечения которого совпадает с поверхностью основания. Поверхности частей 12 крышки 6, соединенные с основанием 3, формируются таким образом, чтобы излучение боковых поверхностей светодиодов 1, прошедшее через светопроводящую среду 10 в полости 9, испытывало на границе соприкосновения поверхности крышки 6 с окружающей средой полное внутреннее отражение.

Несколько дополнительных сквозных отверстий 10 в основании 3, соединяющих полости 9 с окружающей средой, выполнены для полного и равномерного заполнения полостей светопроводящей средой 10. В случае соединения полости 9 с окружающей средой одним дополнительным отверстием 10, часть его границы на поверхности основания, соединенной с крышкой 6, предпочтительно совпадает с границей полости 9 в плоскости, совпадающей с плоскостью, в которой лежит поверхность основания 3, соединенная с крышкой 6, или располагается вблизи этой границы. Неравномерность распределения светопроводящей среды 10 вокруг светодиодов 1, а также наличие в ней пузырьков газа, является одним из существенных факторов, нарушающих равномерное распределение излучения на выходе аналогичных устройств.

В состав светопроводящей среды 10, с целью равномерного распределения излучения на выходе устройства, могут включаться светорассеивающие частицы, например, мелкодисперсные частицы SiO2. Указанные частицы с той же целью могут также включаться в материал крышки.

Для формирования спектра в необходимом диапазоне в светопроводящую среду могут быть введены частицы люминофора, например, на основе граната.

С целью увеличения отвода тепла от светодиодов 1 поверхности котировочных штырей 7 и установочных отверстий 4 могут быть покрыты слоем металла. Указанная металлизация котировочных штырей 7 может быть также использована для соединения с источником электропитания при соответствующем их расположении относительно топологии разводки контактов светодиода.
Устройство работает следующим образом.


При пропускании прямого тока через светодиоды в нем инжектируются неравновновесные носители, которые рекомбинируют с выделением фотонов видимого спектра излучения. Излучение боковых поверхностей собирается за счет полного внутреннего отражения в заданный угол. Наличие рассеивающих излучение частиц в светопроводящей среде (SiO2 или SiO2 + люминофор) позволяет формировать равномерную диаграмму направленности излучения в заданном диапазоне длин волн.

 

Кол-во просмотров: 14962
Яндекс.Метрика